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NTD23N03RT4 N沟道MOSFET 25V 3.8A TO-252/D-PAK marking/标记 N03 小功率损耗/低的RDS

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm @6A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation22.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET 23 A, 25 V, N−Channel DPAK N-Channel DPAK Features • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Ciss to Minimize Driver Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High-Ef ficiency DC-DC Converters
描述与应用功率MOSFET 23 A,25 V,N沟道DPAK •的平面HD3e过程快速开关性能 •低的RDS(on) 减少传导损耗 •低西塞 最小化驱动器损失 •低栅极电荷 •优化高侧开关的要求 高效率的DC-DC转换器
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