NTE4151PT1 P沟道MOS场效应管 -20V -760mA 0.26ohm SOT-523 marking/标记 TM 高效率 ESD保护
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 6V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -760mA/-0.76A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.26Ω @-3.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.45V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 301mW/0.301W |
| Description & Applications | Features • Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life • Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) • SC−75 Standard Gullwing Package • ESD Protected Gate • Pb−Free Packages are Available |
| 描述与应用 | •低的RDS（on） 更高的效率和更长的电池寿命 •小型封装（1.6×1.6毫米） •SC-75标准鸥翼式封装 •ESD保护门 •无铅包可用 |
| 规格书PDF |
