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HAT1053M-EL P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 0.034ohm SOT-163 marking/标记 1053 低导通电阻 低驱动电流

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-5.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.034Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.4--1.4V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsFeatures • Low on-resistance • Low drive current • High density mounting • 2.5 V gate drive device
描述与应用•低导通电阻 •低驱动电流 •高密度安装 •2.5 V门驱动装置
规格书PDF
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