HAT1093C P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.041ohm SOT-363 marking/标记 VM 低驱动电流 1.8V驱动
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -3A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.041Ω @-1.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.3--1.2V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 900mW/0.9W |
| Description & Applications | • Low on-resistance RDS(on) = 41 mΩ typ. (at VGS = –4.5 V) • Low drive current. • 1.8 V gate drive devices. • High density mounting |
| 描述与应用 | •低导通电阻 RDS（ON） = 41MΩ（典型值）。 （VGS=-4.5 V） •低驱动电流。 •1.8 V门驱动装置。 •高密度安装 |
| 规格书PDF |
