HAT1063M P沟道MOS场效应管 SOT-163 marking/标记 1063 高频双极场效应管 小型包装
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | |
| 最大漏极电流IdDrain Current | |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | |
| 耗散功率PdPower Dissipation | |
| Description & Applications | hitachi high frequency bipolar transistors Excellent C/N characteristics small package excellent temperature |
| 描述与应用 | 日立高频双极晶体管 优秀的C/ N特性 小包装 优良的温度 |
| 规格书PDF |
