| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 800-1600MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~250 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | NPN 1 GHz wideband transistor FEATURES • Stable oscillator operation • High current gain • Good thermal stability. APPLICATIONS It is primarily intended as a mixer, oscillator and IF amplifier in UHF and VHF tuners. DESCRIPTION Silicon NPN transistor in a plastic SOT323 (S-mini) package. The BF547W uses the same crystal as the SOT23 version, BF547. |
| 描述与应用 | 1 GHz的宽带晶体管NPN 特点 •振荡器运行稳定 •高电流增益 •良好的热稳定性。 应用 它的主要目的是作为一个混频器， UHF和振荡器和IF放大器 甚高频调谐器。 说明 硅NPN晶体管在一个塑料 SOT323封装（S-迷你）。该 BF547W使用相同的晶体作为 SOT23版本，BF547。 |