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  • 型号：BF545B
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+PB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：21W
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30v
最大漏极电流Id Drain Current10mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.4--2.2
耗散功率Pd Power Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsN-channel silicon junction field-effect transistors N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. Features and benefits Low leakage level (typ. 500 fA) High gain Low cut-off voltage (max. 2.2 V for BF545A).
描述与应用硅N沟道结型场效应晶体管 对称N沟道硅结型场效应晶体管采用SOT23封装 低漏级（典型值500 FA） 高增益 低截止电压（最大2.2 V BF545A）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
BF545B
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