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2SK197 N沟道结型场效应管 18v 3~7mA SOT-23 marking/标记 YD

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商品参数：

型号：2SK197
厂家：HITACHI
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：YD
封装：SOT-23/SC-59/MPAK
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	18v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-18v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	3~7ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.3~-4v
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	•Silicon N-Channel Junction FET
描述与应用	•硅N沟道结型场效应管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK197 N沟道结型场效应管 18v 6~14mA SOT-23 marking/标记 YE	2SK197 标记：YE 封装：SOT-23/SC-59/MPAK	HITACHI	批号：05+	200 10起订
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