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  • 型号：2SK197
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：YE
  • 封装：SOT-23/SC-59/MPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage18v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -18v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current6~14ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.3~-4v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET
描述与应用•硅N沟道结型场效应管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK197
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