请先登录
首页
购物车0
库存1800件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK198-S
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：10S
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.5~12ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK198-S
*主题：
详细内容：
*验证码：