2SK198-R N沟道结型场效应管 30v 4~12mA SOT-23 marking/标记 10R 低频放大|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

请先登录

2SK198-R N沟道结型场效应管 30v 4~12mA SOT-23 marking/标记 10R 低频放大

库存5006件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：2SK198-r
厂家：Panasonic
批号：05+ 05+NOPB1875
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：10R
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	4~12ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用	硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型

规格书PDF

下载

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK198-S N沟道结型场效应管 30v 0.5~12mA SOT-23 marking/标记 10S 低频放大	2SK198-S 标记：10S 封装：SOT-23/SC-59	Panasonic	批号：05+	1800 10起订
2SK2009 N沟道MOSFET 30V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 KM 低导通电阻/高速开关/高输入阻抗	2SK2009 标记：KM 封装：SOT-23/SC-59	TOSHIBA	批号：04+ 05+	100 10起订
2SK2015 N沟道MOSFET 150V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 K2015 无二次击穿	2SK2015 标记：K2015 封装：TO-252/D-PAK	Panasonic	批号：05+	0 10起订
2SK2033 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压	2SK2033 标记：KP 封装：SOT-23/SC-59	TOSHIBA	批号：12+ROHS 05+	100 10起订
2SK2034 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压	2SK2034 标记：KP 封装：SOT-323/SC-70/USM	TOSHIBA	批号：05+ 05+	10600 10起订
2SK2035 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 KP 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压	2SK2035 标记：KP 封装：SOT-523/SSM	TOSHIBA	批号：12+rohs 12+ROHS	177800 10起订
2SK2036 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 KJ 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压	2SK2036 标记：KJ 封装：SOT-23/SC-59	TOSHIBA	批号：05+NOPB 02+	0 10起订
2SK2037 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KJ 高速开关/高输入阻抗/低栅极阈值电压	2SK2037 标记：KJ 封装：SOT-323/SC-70/USM	TOSHIBA	批号：05+ 05+	9400 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: 2SK198-r

*主题：

详细内容：

*验证码：