| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|
|
BUK483-60A N沟道MOSFET 60V 3.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 43-06A 密度电池设计极低的RDS |
BUK483-60A
标记：43-06A 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 300 | 立即订购 |
|
|
BUK127-50DL N沟道MOSFET 50V 3mA SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 127DL 增强模式/逻辑电平 |
BUK127-50DL
标记：127DL 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
buk107-50dl N沟道MOSFET 50V 3mA SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 10750 增强模式/逻辑电平 |
BUK107-50DL
标记：10750L 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
NXP/PHILIPS | 20 | 立即订购 |
|
|
BTS4140NL N沟道MOSFET SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 TS4140 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BTS4140NL
标记：TS4140 封装：SOT-223/SC-73/TO261-4 |
INFINEON | 0 | 立即订购 |
|
|
BST82 N沟道MOSFET 100V 180mA/0.18A SOT-23/SC-59 marking/标记 02W 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 |
BST82
标记：02W 封装：SOT-23/SC-59 |
NXP/PHILIPS | 885 | 立即订购 |
|
|
BST120 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-89 marking/标记 LM 高速开关 无二次击穿 |
BST120
标记：LM 封装：SOT-89/SC-62 |
NXP/PHILIPS | 0 | 立即订购 |
|
|
BSS84P P沟道MOS场效应管 -60V -170mA 5.8ohm SOT-23 marking/标记 YB |
BSS84P
标记：YB 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 509 | 立即订购 |
|
|
BSS84LT1 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 5ohm SOT-23 marking/标记 PD 低功耗节能型 |
BSS84LT1
标记：PD 封装：SOT-23/SC-59 |
ON | 1650 | 立即订购 |
|
|
BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流 |
BSS84
标记：SP 封装：SOT-23/SC-59 |
INFINEON | 300 | 立即订购 |
|
|
BSS84DW-7 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-363 marking/标记 84P 快速开关 低开启电压 |
BSS84DW-7
标记：84P 封装：SOT-363/SC70-6 |
DIODES | 0 | 立即订购 |
|
|
BSS84-7 P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 10ohm SOT-23 marking/标记 K84 快速开关 低开启电压 |
BSS84-7
标记：K84 封装：SOT-23/SC-59 |
DIODES | 1100 | 立即订购 |
|
|
BSS84TA P沟道MOS场效应管 -50V -130mA 6ohm SOT-23 marking/标记 SP 垂直DMOS FET |
BSS84TA
标记：SP 封装：SOT-23/SC-59 |
ZETEX | 2200 | 立即订购 |
