| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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1ED3131MC12HXUMA1 MOSFET；IGBT 1 5.5A 5.5A
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1ED3131MC12HXUMA1
标记：
封装：SOIC-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR2131JPBF 半桥 IGBT；MOSFET 6 360mA
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IR2131JPBF
标记：
封装：PLCC-32(16.6x16.6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR21271PBF 低边；高边 IGBT；MOSFET 1 420mA
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IR21271PBF
标记：
封装：PDIP-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRS2117PBF 高边 IGBT；MOSFET 1 600mA
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IRS2117PBF
标记：
封装：PDIP-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IR25607STRPBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 2A
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IR25607STRPBF
标记：
封装：SOIC-16-300mil
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRSM505-084PA-IR 半桥 MOSFET 13.5V~16.5V -40℃~+150℃@(Tj)
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IRSM505-084PA-IR
标记：
封装：SOP-23
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
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IRS2111PBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 420mA
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IRS2111PBF
标记：
封装：PDIP-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：25+
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10000
起订 |
