| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
IRS2111PBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 420mA
|
IRS2111PBF
标记：
封装：PDIP-8
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRSM505-084DA-IR 半桥 MOSFET 13.5V~16.5V -40℃~+150℃@(Tj)
|
IRSM505-084DA-IR
标记：
封装：DIP-23
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2001PBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 420mA
|
IRS2001PBF
标记：
封装：PDIP-8
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2336STRPBF MOSFET；IGBT 6 350mA 200mA
|
IRS2336STRPBF
标记：
封装：SOIC-28-300mil
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2336SPBF MOSFET；IGBT 6 350mA 200mA
|
IRS2336SPBF
标记：
封装：SOIC-28-300mil
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS2108PBF 半桥 IGBT；MOSFET 2 600mA
|
IRS2108PBF
标记：
封装：PDIP-8
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
|
IRS23364DSTRPBF 半桥 MOSFET；IGBT 6 350mA
|
IRS23364DSTRPBF
标记：
封装：SOIC-28-300mil
|
Infineon(英飞凌) |
批号：25+
|
10000
起订 |
