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SSM5N16FE 复合场效应管 20V 200mA/0.2A SOT-553/ESV marking/标记 DS 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance3Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Analog-Switch Applications • Input impedance is high; driving current is extremely low. • Can be directly driven by a CMOS device even at low voltage due to low gate threshold voltage. • High-speed switching • Housed in an ultra-small package suitable for high density mounting
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •输入阻抗高,驱动电流极低。 •可直接驱动一个CMOS设备,即使在低电压下,由于低 栅极阈值电压。 •高速开关 •坐落在一个超小型封装,适用于高密度安装
规格书PDF
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