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SSM6K211FE N沟道MOSFET 20V 3.2A SOT-563/ES6 marking/标记 NQ

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.047Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.35-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsHigh-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance: Ron = 307 mΩ (max) (@VGS = 1.5V) Ron = 214 mΩ (max) (@VGS = 1.8V) Ron = 164 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
描述与应用高速开关应用 电源管理开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻:罗恩=307MΩ(最大)(@ VGS=1.5V) 罗恩=214MΩ(最大(@ VGS=1.8V) 罗恩=164MΩ(最大(@ VGS= 2.5V) 罗恩=126MΩ(最大)(@ VGS=4.0V)
规格书PDF
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