HN4A08J PNP+PNP复合三极管 -30V -800mA HEF=100~320 SOT-153/SMV 标记36 用于开关/数字电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-0.8A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
120MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
100~320 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.4V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.3W |
| 描述与应用 Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅PNP外延型（PCT工艺）•高DC电流增益：HFE=100〜320•低饱和电压VCE（星期六）=-0.4V（最高）：（IC=500mA，可IB=-20mA的）•低频功率放大器应用•电源开关应用 |
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