RUM002N02G 硅N沟道MOSFET 20v 0.2a sot-723 代码 QR 快速开关 低电压驱动
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 4.8Ω ID=20mA, VGS=1.2V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.3V~1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | * Silicon N-channel MOSFET 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. |
| 描述与应用 | *硅N沟道MOSFET 1）快速开关速度。 2）低电压驱动（1.2V），使得该器件用于便携式设备的理想选择。 3）驱动电路可以很简单。 |
| 规格书PDF |
