我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

EEPROMs-串行存储器 UPD431000AGW SOP32

热销商品

产品描述
存储器格式Format - MemoryEEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial
存储器类型Memory TypeEEPROM
存储容量Memory Size
速度Speed
接口Interface
电源电压Voltage - Supply
Description & ApplicationsMOS INTEGRATED CIRCUIT 1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT Description The µPD431000A is a high speed, low power, and 1,048,576 bits (131,072 words by 8 bits) CMOS static RAM. The µPD431000A has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity. And battery backup is available. In addition to this, A and B versions are low voltage operations. The µPD431000A is packed in 32-pin PLASTIC DIP, 32-pin PLASTIC SOP and 32-pin PLASTIC TSOP (I) (8 × 13.4 mm) and (8 × 20 mm). Features • 131,072 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Operating ambient temperature: TA = 0 to 70 °C • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • Output Enable input for easy application • Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2
描述与应用MOS集成电路 1M-BIT的CMOS静态RAM 128K-WORD8位 描述 μPD431000A是一种高速,低功耗,1,048,576位(131,072词的8 bits)CMOS静态RAM。 μPD431000A有两个芯片使能引脚(/ CE1,CE2)扩展容量。和电池备份是可用的。在 此外,A和B版本的低电压操作。 μPD431000A是装在32引脚塑料DIP,32引脚塑料SOP和32引脚塑料TSOP(I)(8×13.4 毫米)和(8×20毫米)。 特点 •131,072词的8位组织 •快速存取时间:70,85,100,120,150纳秒(最大值) •低电压工作(版本:VCC=3.0至5.5 V,B版本:VCC=2.7至5.5 V) •工作环境温度:TA= 0到70°C •低VCC数据保留:2.0 V(最小) •输出使能输入,便于应用 •两个芯片使能输入/ CE1,CE2
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00