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TPC6102 P沟道MOS场效应管 -30V -4.5A 60毫欧 SOT-163 marking/标记 S3B 便携式设备应用 低漏电流 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance60mΩ@ VGS = -10V, ID = -2.2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8~-2.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U-MOSII) NOTEBOOK PC PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS Low drain-source on resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement-model
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS型(U-MOSII) 笔记本电脑 便携式设备应用 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模型
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