我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

TPC6004 N沟道MOSFET 20V 6A SOT-163/SOT23-6/VS-6 marking/标记 S2C 高速开关/低导通电阻

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.024Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation2.2W
Description & ApplicationsNotebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 11 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 20 V) • Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 µA)
描述与应用笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RD(ON)= 19mΩ(典型值) •高正向转移导纳:| YFS|=11 S(典型值) •低漏电流IDSS= 10μA(最大)(VDS=20 V) •增强模式:VTH =0.5至1.2 V(VDS=10V,ID=200μA)
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00