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TBB1002BMTL 6V 30MA SOT363 代码 BM 双偏置电路MOS场效应晶体管集成电路 甚高频/超高频射频放大器

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage  
最大漏极电流IdDrain Current 30MA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance  
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage  
耗散功率PdPower Dissipation 250MW/0.25W
Description & Applications * Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier. * Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space. * Suitable for World Standard Tuner RF amplifier. * Very useful for total tuner cost reduction. * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions. * Provide mini mold packages; CMPAK-6.
描述与应用 * 双内置偏置电路MOS FET的集成电路VHF/ UHF射频放大器。 * 小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。 * 适用于世界标准调谐器RF放大器。 * 总的调谐器成本降低非常有用的。 * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200 V C = 200 PF,RS=0条件。 * 提供小型模具包; CMPAK-6。
规格书PDF
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