TBB1008HMTL-E 6V 30MA SOT363 代码 HM 双偏置电路MOS场效应晶体管集成电路 甚高频/超高频射频放大器
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id Drain Current |
30MA |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power Dissipation |
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| 描述与应用 Description & Applications |
双偏置电路MOS场效应晶体管集成电路造成的
甚高频/超高频射频放大器
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