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SSM6N16FU 复合场效应管 20V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DS 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance300mΩ@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switch Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ● Low on resistance : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω(最大)(@ VGS=4 V) RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V) RON=15Ω(最大)(@ VGS=1.5 V)
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