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SSM6P05FU 复合场效应管 -20V -200mA/-0.2A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DH 高速开关

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-200mA/-0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance3300mΩ@ VGS = -4V, ID = -100mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.6~-1.1V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●Power Management Switch ●High Speed Switching Applications ●Small package ● Low on resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = −4 V) Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型  ●电源管理开关  ●高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =3.3Ω(最大)(@ VGS=-4 V) RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS=-2.5 V) 低栅极阈值电压
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