SI2312DS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 c2 低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

免费注册|请登录

简体|繁体|English|网站地图

当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

SI2312DS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 c2 低导通电阻

型号：SI2312DS
标记/丝印/代码/打字：c2
厂家：VISHAY
批号：05+ 05+
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

热销商品

产品描述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	4.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.033Ω/Ohm @5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.45-0.85V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.25W
Description & Applications	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用	N沟道20-V（D-S的MOSFET

规格书PDF

相关型号列表

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
SI2315BDS-T1 P沟道MOS场效应管 -12V -3.85A 0.040ohm SOT-23 marking/标记 M5WGB	SI2315BDS-T1 标记：M5WGB 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+	640 10起订
SI2315DS-T1 P沟道MOS场效应管 -40V -3A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 C5 功率MOSFET	SI2315DS-T1 标记：C5 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+nopb2377	2198 10起订
SI2316DS N沟道MOSFET 30V 3.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 C6 低导通电阻。	SI2316DS 标记：C6 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+	140 10起订
SI2319DS P沟道MOS场效应管 -40V -3A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 C9U 功率MOSFET	SI2319DS 标记：C9U 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+PB	0 10起订
SI2323DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 D3 功率MOSFET	SI2323DS-T1 标记：D3 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：05+NOPB	0 10起订
SI2341DS P沟道MOS场效应管 -30V -2.8A 0.057ohm SOT-23 marking/标记 F1WOA 功率MOSFET	SI2341DS 标记：F1WOA 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：06NOPB 06+ROHS	12000 10起订
SI2343DS P沟道MOS场效应管 -30V -4A 0.043ohm SOT-23 marking/标记 F3 功率MOSFET	SI2343DS 标记：F3 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：06+rohs	50 10起订

微信扫描关注我们

商城移动版

关于我们: 商城介绍
 联系我们
 营业执照

购物指南: 如何注册
 购买流程
 免责声明

配送方式: 上门自提
 运费说明
 物流追踪查询

支付方式: 支付宝
 银行转账
 货到付款

服务&售后: 原装正品
 技术支持
 退换货政策

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有并保留所有权利

客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00