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SI2323DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 D3 功率MOSFET

型号：SI2323DS-T1
标记/丝印/代码/打字：D3
厂家：VISHAY
批号：05+NOPB
封装：SOT-23/SC-59
整包数量：3000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-4.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.031Ω @-4.7A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation	1.25W
Description & Applications	FEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用	功率MOSFET

规格书PDF

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