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SI1301DL-T1/LGW P沟道MOS场效应管 -20V -180mA 2.6ohm SOT-323 marking/标记 LGW

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-180mA/-0.18A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2.6Ω @-180mA,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.40--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsP-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道20-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF
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