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PEMD3 NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=30 R1=R2=10KΩ 300mW/0.3W SOT-563/SOT666 标记D3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 30
截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2  
耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 300mW/0.3W
Description & Applications Features • PNP/PNP resistor-equipped transistors; • 300 mW total power dissipation • Very small 1.6 mm x 1.2 mm ultra thin package • Excellent coplanarity due to straight leads • Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area • Reduces required PCB area • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver.
描述与应用 特点 •PNP / PNP电阻配备晶体管; •300 mW的总功耗 •非常小的1.6毫米×1.2毫米的超薄封装 •优秀的共面性,由于直引线 •替换两个SC-75/SC-89包装相同的PCB面积上的晶体管 •减少所需PCB面积 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。
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