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MGF1902B MESFET-N沟道 -6V 30mA-100mA -0.3V -- -3.5V GD-16 marking/标记 GJ 高频应用/低噪音

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current30mA-100mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.3V -- -3.5V
耗散功率PdPower Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsType carrier low noise GaAs FET S to X band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用载波低噪声砷化镓 场效应管类型 S到X波段低噪声放大器和振荡器 低噪声系数 高相关增益
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