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MGF4910C MESFET-N沟道 GD-16 marking/标记 CH 高频应用
型号:
MGF4910C
标记/丝印/代码/打字:
CH
厂家:
MITSUBISHI
批号:
05+ 05+
封装:
GD-16
整包数量:
1000
最小起批量:
10
技术文档:
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34
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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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说明
库存
mgf4916C MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-16 marking/标记 c 高频应用/低噪声
mgf4916C
标记:c
封装:GD-16
MITSUBISHI
批号:5
05+
178
10起订
MGF4916G MESFET-N沟道 -3V 15mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-16 marking/标记 N 高频应用/低噪声
MGF4916G
标记:N
封装:GD-16
MITSUBISHI
批号:05+
05+
500
10起订
MGF4917C MESFET-N沟道 -3V 10mA-60mA -0.1V -- -1.5V GD-16 marking/标记 CH 高频应用/低噪声
MGF4917C
标记:CH
封装:GD-16
MITSUBISHI
批号:05+
05+
26
10起订
MGF4931AM-01 MESFET-N沟道 -3V 10mA-60mA -0.1V -- -1.5V SOT-343 marking/标记 AT 高频应用/低噪声
MGF4931AM-01
标记:AT
封装:SOT-343
MITSUBISHI
批号:06+ PB
0
10起订
MGF4971AP MESFET-N沟道 2520-后面4点 marking/标记 A1 高频应用
MGF4971AP
标记:A1
封装:2520-后面4点
MITSUBISHI
批号:05+
05+
6300
10起订
MGSF1N02LT1 N沟道MOSFET 20V 750mA/0.75A SOT-23/SC-59 marking/标记 N2 DC/DC转换器/低导通电阻
MGSF1N02LT1
标记:n2
封装:SOT-23/SC-59
on
批号:05+
05+
2110
10起订
MGSF1P02ELT1 N沟道MOSFET 20V 750mA/0.75A SOT-23/SC-59 marking/标记 PE 高速开关
MGSF1P02ELT1
标记:PE
封装:SOT-23/SC-59
ON
批号:05+
05+
2700
10起订
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