| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
IRF5800TR P沟道MOS场效应管 -30V -4A 150毫欧 SOT-163 marking/标记 B3X/BC 低导通电阻
|
IRF5800TR
标记：B3X/BC
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
|
IR |
批号：05+
|
470
10起订 |
|
IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷
|
IRF5803TR
标记：G6
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
|
IR |
批号：05+
05+ |
0
10起订 |
|
IRF5810TR 复合场效应管 -20V -2.9A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 K6 超低导通电阻
|
IRF5810TR
标记：k6
封装：SOT-163/SOT23-6
|
IR |
批号：5
05+ |
0
10起订 |
|
IRF5850TR 复合场效应管 -20V -2.2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 AA 超低导通电阻
|
IRF5850TR
标记：AA
封装：SOT-163/SOT23-6
|
IR |
批号：05+
05+ |
67450
10起订 |
|
IRF6150 复合场效应管 -20V -7.9A BGA 低热阻 电池和负载管理应用
|
IRF6150
标记：
封装：BGA
|
IR |
批号：05+
05+ |
4000
10起订 |
|
IRF6607TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关
|
IRF6607TR1
标记：
封装：MT
|
IR |
批号：05+
|
1000
10起订 |
|
IRF6617TR1 N沟道MOSFET 20V 9.4A MT marking/标记 低栅极电荷/高速开关/极低的RDS
|
IRF6617TR1
标记：
封装：MT
|
IR |
批号：05+
|
4400
10起订 |
