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BFR92ARGELB NPN三极管 20V 30mA 6Ghz 65~150 SOT-23/SC-59 marking/标记 P5 宽频带放大器

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)15V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)30mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)6Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)65~150
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSilicon NPN Planar RF Transistor Features • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications Wide band amplifier up to GHz range.
描述与应用硅NPN平面RF晶体管 特点  •高功率增益  •低噪声系数  •高转换频率  •无铅(Pb)组件  •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC 应用 宽频带放大器高达GHz范围内。
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