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3SK274 MESFET-N沟道 -9V 6mA-20mA -0.7V -- -1.8V SOT-343 marking/标记 UN 高频应用

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-9V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current6mA-20mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.7V -- -1.8V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET. Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用东芝场效应型晶体管 .砷化镓N沟道双栅MES FET .应用; 电视调谐器,超高频 RF放大器.
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