我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

3SK284 MESFET-N沟道 -6V 4mA-16mA -0.5V -- -1.5V SOT-343 marking/标记 U1 高频应用

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current4mA-16mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.5V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET .Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用东芝场效应型晶体管. 砷化镓N沟道双栅MES FET. 应用: 电视调谐器,超高频 RF放大器.
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00