我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2SK663-Q N沟道结型场效应管 55v 2~6.5mA SOT-323 marking/标记 2BQ 低频放大,开关

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage55v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -55v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current2~6.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •For switching •Low noise-figure (NF) •High gate to drain voltage VGDO Features lLow noise-figure (NF) lHigh gate to drain voltage VGDO lS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •对于开关 •低噪声系数(NF) •高门漏极电压VGDO的 特点 LLOW噪声系数(NF) lHigh栅漏电压VGDO LS-迷你型包装,通过自动插入磁带/盒包装
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00