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2SK665 N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 30 高速开关/小的驱动电流/高输入阻抗/静电击穿电压高

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance50Ω/Ohm @20mA,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching High-speed switching Small drive current owing to high input inpedance High electrostatic breakdown voltage
描述与应用硅MOS场效应管(小信号) 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 高速开关 小的驱动电流,由于高输入阻抗方向 静电击穿电压高
规格书PDF
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