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2SK3377-Z-E2 N沟道MOSFET 60V 20A TO-252/D-PAK marking/标记 K3377 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current20A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.035Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state Resistance RDS(on)1 = 44 mΩ MAX (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on)2 = 78 mΩ MAX(VGS = 4.0 V, ID = 10 A) Low Ciss : Ciss = 760 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package
描述与应用MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS(上)1=44mΩ最大(VGS= 10 V,ID=10 A) RDS()2=78mΩ最大(VGS=4.0 V,ID= 10 A) 低CISS:西斯= 760 pF(典型值) 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装
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