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2SK3408 N沟道MOSFET 43±5V 1A SOT-23/SC-59 marking/标记 XF 低导通状态电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage43±5V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.155Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX(VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX(VGS = 4.0 V, ID = 18 A) Low Ciss : Ciss = 3200 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package
描述与应用MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通状态电阻 RDS(上)1= 15mΩ最大(VGS= 10 V,ID=18 A) 的RDS(on)=22mΩ最大(VGS=4.0 V,ID= 18) 低CISS:西斯= 3200 pF(典型值) 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装
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