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2SK1961 N沟道结型场效应管 15v 40~75mA SOT-252 marking/标记 K1961 高频低噪声放大器

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage15v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current40~75ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -1.2~-4.5v
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET Applications High-frequency low-noise amp applications Features Adoption of FBET process Very low noise figure
描述与应用硅N沟道结型场效应晶体管应用 高频低噪声放大器的应用 特点 采纳FBET过程 非常低的噪声图
规格书PDF
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