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2SK198-P N沟道结型场效应管 30v 0.5~3mA SOT-23 marking/标记 10P 低频放大

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.5~3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型
规格书PDF
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