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2SD2240J-S NPN三极管 150V 50mA 150MHz 185~330 1V SOT-523/SC-75 marking/标记 PS 高击穿电压低噪声放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)150V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)185~330
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage1V
耗散功率PcPower Dissipation125mW/0.125W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary to 2SB1463J Features • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Low noise voltage NV
描述与应用NPN硅外延平面型 对于高击穿电压低噪声放大 互补2SB1463J的 特点 •高集电极 - 发射极电压(基本打开)VCEO •低噪声电压NV
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