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2SD2351 NPN三极管 Vcbo=60V Vceo=50v Ic=150mA/0.15A ft=250MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 BJV

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 820~2700
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率PcPower Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA)
描述与应用 通用晶体管(50V,0.15A) 特点 1)高DC电流增益。 2)高发射基地电压。 (VCBO12V) 3)低饱和电压。 (典型值VCE(sat)=0.3V IC / IB=50mA/5mA)
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