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2SA1235A PNP三极管 -60V -200mA/-0.2A 180MHz 150~300 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 ME

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) −50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) −200mA/-0.2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 180MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 150~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM : -0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
描述与应用 塑料封装晶体管 特点            功耗                         PCM:0.2 W(T环境温度= 25℃)    集电极电流                         ICM:-0.2à    集电极 - 基极电压                         V(BR)CBO:-60 V    操作和存储结温范围                         TJ,TSTG:-55℃至+150℃
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