2SK3325B-ZK-E2-AY n沟道DMOS结构场效应晶体管 500V 10A 代码 K3325B|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK3325B-ZK-E2-AY n沟道DMOS结构场效应晶体管 500V 10A 代码 K3325B

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型号：2SK3325B-ZK-E2-AY
厂家：NEC
批号：08+ROHS 08NOPB
整包数量：800
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K3325B
封装：TO-263
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	500V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	10A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State	0.65Ω~0.85Ω
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power dissipation
描述与应用 Description & Applications	n沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管　　低开态电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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