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  • 型号：RQ1E070RP
  • 厂家：ROHM
  • 批号：10+ROHS 10+ROHS
  • 整包数量：10000
  • 最小起批量：100
  • 标记/丝印/代码/打字：UE
  • 封装：TSMT8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  -30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  ±20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  -7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		   ID=3.5A, VGS=4.0V RDS=19~27mΩ
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  -1~-2.5v
耗散功率Pd
Power dissipation		  1.5w
描述与应用
Description & Applications		  1)较低的导通电阻。
　　2)高功率包。
　　3)4 v驱动。
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
RQ1E070RP
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