最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.15A |
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = –1.8 V, ID = –0.2 A RDS=0.066~0.8Ω |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45v |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
0.73W |
描述与应用
Description & Applications |
双p沟道12 v(d - s)MOSFET
TrenchFET功率场效应管:1.8 - v级
ESD保护:3000 V
负荷开关
PA开关
电平开关
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