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  • 型号：SI4953DY
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+
  • 整包数量：
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：4953
  • 封装：SO8/SOIC8/SOP8
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-4.9A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance95mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3.6A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURES 100% Rg Tested
描述与应用双P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点 100％的Rg测试
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI4953DY
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