SI5435DC P沟道MOS场效应管 -30V -5.6A 0.042ohm Vth:-1.0V 1206-8 marking/标记 BE|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI5435DC P沟道MOS场效应管 -30V -5.6A 0.042ohm Vth:-1.0V 1206-8 marking/标记 BE

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型号：SI5435DC
厂家：VISHAY
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：BE
封装：1206-8
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-5.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.042Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation	2.5W
Description & Applications	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用	P沟道30-V（D-S）的MOSFET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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