PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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PH5330E N沟道MOSFET 30V 80A SOT-669 marking/标记 5330E 硅栅高速开关/低驱动

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商品参数：

型号：PH5330E
厂家：NXP/PHILIPS
批号：04+ 05+
整包数量：1500
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：5330E
封装：SOT-669
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	80A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation	62.5W
Description & Applications	N-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用	N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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