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  • 型号：PH5330E
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：04+ 05+
  • 整包数量：1500
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：5330E
  • 封装：SOT-669
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current80A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation62.5W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PH5330E
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